KEPULAUAN RIAU — Produsen memori asal China, ChangXin Memory Technologies (CXMT), mencatatkan tonggak baru dengan berhasil membawa modul DDR5-nya menembus kecepatan 9.000 MT/s. Hasil ini membuat CXMT resmi memasuki liga performa yang sebelumnya hanya dihuni oleh tiga raksasa industri, yakni Micron, SK hynix, dan Samsung. Pencapaian ini sekaligus menjawab skeptisisme pasar terhadap kemampuan manufaktur semikonduktor China di segmen memori berkinerja tinggi.
Detail Pengujian dan Spesifikasi
Pengujian terbaru menggunakan kit Colorful iGame Shadow II 24G×2 dengan total kapasitas 48 GB. Modul memori tersebut berhasil mencapai frekuensi 4.507 MHz, yang setara dengan 9.014 MT/s berkat teknologi Double Data Rate (DDR).
Pengujian dilakukan pada motherboard Colorful iGame X870E VULCAN W OC yang berbasis soket AMD. Platform ini dipilih untuk menguji stabilitas dan potensi overclocking dari chip DRAM buatan CXMT yang menggunakan proses fabrikasi 17 nm.
Melampaui Klaim Awal dan Fokus pada Latensi
Capaian ini merupakan peningkatan signifikan dari klaim resmi CXMT akhir tahun lalu yang baru menyentuh angka 8.000 MT/s. Kini, melalui overclocking, produk mereka mampu melampaui angka tersebut dan semakin mendekati performa produk-produk premium dari kompetitor global.
CXMT tidak hanya berhenti pada kecepatan transfer data. Sejumlah kit iGame Shadow II 24G×2 48 GB tengah diuji pada motherboard ASUS untuk mengejar nilai latensi (CL) yang lebih rendah. Colorful selaku mitra pengujian telah berhasil menjalankan DDR5 CXMT pada kecepatan 6.000 MT/s dengan timing CL30, dan bahkan melakukan uji coba awal dengan CL28 yang lebih ketat.
Jika pengembangan latensi ini berhasil disempurnakan, CXMT berpeluang menawarkan produk yang setara dengan kompetitor bukan hanya dari sisi kecepatan mentah, tetapi juga dari performa aktual dalam aplikasi dan gaming yang sensitif terhadap waktu respons memori.
Efisiensi Produksi dan Dampak Pasar
Dari sisi manufaktur, CXMT dilaporkan menggunakan proses 17 nm untuk memproduksi chip DDR5. Tingkat hasil produksi (yield) disebut telah mencapai 90 persen, hanya sekitar 2–3 persen di bawah Samsung yang menggunakan node 10 nm-class. Selisih tipis ini menunjukkan pematangan proses produksi CXMT yang cepat, yang berpotensi menekan biaya produksi dan harga jual di pasar.
Masuknya CXMT ke segmen performa tinggi ini berpotensi mengubah dinamika pasar DRAM global yang selama ini oligopolistik. Bagi konsumen, hadirnya pemain ketiga dari China ini bisa menjadi katalis penurunan harga modul memori berkecepatan tinggi dalam jangka panjang. Bagi pelaku bisnis dan investor, perkembangan ini patut dicermati sebagai sinyal pergeseran peta kekuatan industri semikonduktor global, di mana pemain baru mulai mampu bersaing di lini produk paling menguntungkan.
